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IPT015N10NF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 315.0A I[Dpuls] max: 1260.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 300.0W Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 161.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 1.51

IPT020N10N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in TO-Leadless (TOLL) package with 60% space reduction for telecom and low voltage drives applications

I[D ](@25°C) max: 260.0A I[D ](@ T[C]=25°C) max: 260.0A I[Dpuls] max: 1039.0A P[tot] max: 273.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 122.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Package: TOLL (HSOF-8) Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.54

IPT067N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-Leadless package

I[D ](@25°C) max: 137.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 71.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.7mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V Budgetary Price €/1k: 3.34

IPT017N12NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 331.0A I[Dpuls] max: 1324.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 113.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.7mΩ V[DS] max: 120.0V V[GS(th)]: 3.1V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 2.25

IPT054N15N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 5.4 mOhm in TOLL

I[D ](@25°C) max: 143.0A I[D ] max: 143.0A I[Dpuls] max: 572.0A Mounting: SMT P[tot] max: 250.0W Package: TOLL (HSOF-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 55.0nC Q[G]: 55.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.4mΩ R[DS (on)] max: 5.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 1.76

IPT020N13NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLL

I[D ](@25°C) max: 297.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 159.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ V[DS] max: 135.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 2.17

IPT015N10N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLL

I[Dpuls] max: 1200.0A P[tot] max: 375.0W Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 169.0nC R[th]: 0.4K/W R[thJA] max: 62.0K/W V[DS] max: 100.0V C[iss]: 12000.0pF C[oss]: 1800.0pF R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ Package: TOLL (HSOF-8) I[D ](@25°C) max: 300.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 1.96

IPT044N15N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 4.4 mOhm in TOLL

I[D ](@25°C) max: 174.0A I[D ] max: 174.0A I[Dpuls] max: 696.0A Mounting: SMT P[tot] max: 300.0W Package: TOLL (HSOF-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 67.0nC Q[G]: 67.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.4mΩ R[DS (on)] max: 4.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 1.89

IPT129N20NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-Leadless package

I[D ](@25°C) max: 87.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 37.0nC R[DS (on)](@10V) max: 12.9mΩ V[DS] max: 200.0V V[GS(th)]: 3.7V Budgetary Price €/1k: 2.94

IPT039N15N5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V 3.9 mOhm in TOLL

I[D ](@25°C) max: 190.0A I[D ] max: 190.0A I[Dpuls] max: 760.0A Mounting: SMT P[tot] max: 319.0W Package: TOLL (HSOF-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 78.0nC Q[G]: 78.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.9mΩ R[DS (on)] max: 3.9mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 2.16