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IRFS38N20D

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 28.0nC T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 30.0V Mounting: SMD P[tot] max: 320.0W R[thJC] max: 0.47K/W V[DS] max: 200.0V R[DS (on)](@10V) max: 54.0mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 60.0nC I[D ](@25°C) max: 43.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.95

IRF530NS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package

Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: N P[tot] max: 3.8W R[thJC] max: 1.9K/W V[DS] max: 100.0V V[GS] max: 20.0V Package: D2PAK (TO-263) Q[gd]: 4.8nC T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 90.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 24.7nC I[D ](@25°C) max: 17.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.3

IPB027N10N3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 480.0A R[th]: 0.5K/W P[tot] max: 300.0W V[DS] max: 100.0V Q[G](typ @10V): 155.0nC Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N C[iss]: 11100.0pF C[oss]: 1940.0pF R[DS (on)](@10V) max: 2.7mΩ I[D ](@25°C) max: 120.0A V[GS(th)]: 2.7V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.91

IRF8010S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel IR MOSFET in a D2Pak package

Mounting: SMD P[tot] max: 260.0W Moisture Sensitivity Level: 1 Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 26.0nC R[thJC] max: 0.57K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 100.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 15.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 81.0nC Special Features: Wide SOA I[D ](@25°C) max: 80.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.9

IRL540NS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Q[gd]: 25.3nC R[thJC] max: 1.1K/W V[DS] max: 100.0V V[GS] max: 16.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Polarity: N P[tot] max: 3.8W Package: D2PAK (TO-263) T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 44.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 63.0mΩ V[GS(th)]: 1.5V I[D ](@25°C) max: 36.0A Q[G](typ @4.5V): 49.3nC Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.42

IRL2910S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package

Mounting: SMD P[tot] max: 3.8W V[GS] max: 16.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 54.0nC R[thJC] max: 0.75K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 100.0V R[DS (on)](@10V) max: 26.0mΩ R[DS (on)](@10V) max: 26.0mΩ V[GS(th)]: 1.5V V[GS(th)]: 1.5V I[D ](@25°C) max: 55.0A I[D ](@25°C) max: 55.0A Q[G](typ @4.5V): 93.3nC Q[G](typ @4.5V): 93.3nC Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.79

IPB072N15N3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 400.0A R[th]: 0.5K/W P[tot] max: 300.0W V[DS] max: 150.0V Q[G](typ @10V): 70.0nC Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N C[iss]: 5470.0pF C[oss]: 638.0pF R[DS (on)](@10V) max: 7.2mΩ I[D ](@25°C) max: 100.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.3

IRL530NS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel IR MOSFET™ in a D2-Pak package

Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 13.3nC R[thJC] max: 1.9K/W T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 P[tot] max: 3.8W V[DS] max: 100.0V R[DS (on)](@10V) max: 100.0mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 150.0mΩ V[GS(th)]: 1.5V I[D ](@25°C) max: 17.0A Q[G](typ @4.5V): 22.7nC Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.35

IRFS4127

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package

P[tot] max: 375.0W T[j] max: 175.0°C Moisture Sensitivity Level: 1 Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 31.0nC R[thJC] max: 0.4K/W V[DS] max: 200.0V V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 22.0mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 100.0nC I[D ](@25°C) max: 72.0A Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 96-140 V Budgetary Price €/1k: 1.21

IPB108N15N3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

I[Dpuls] max: 332.0A R[th]: 0.7K/W P[tot] max: 214.0W V[DS] max: 150.0V Q[G](typ @10V): 41.0nC Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N C[iss]: 3230.0pF C[oss]: 378.0pF R[DS (on)](@10V) max: 10.8mΩ I[D ](@25°C) max: 83.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.32