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IRHNKC9A7234

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Die Size: 3 ESD Class: Class 2 Generation: R9 I[D ](@25°C) max: 17.0A Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 Polarity: N Q[G]: 34.0nC QPL Part Number: 7649U3CE Qualification: COTS R[DS (on)](@25°C) max: 110.0mΩ TID max: 100.0Krad(Si) V[F] max: 1.2V Package: SMD-0.5e Ceramic Lid V[BRDSS]: 250.0V

IRHNKC9A7034

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

Die Size: 3 ESD Class: Class 2 Qualification: COTS Q[G]: 45.0nC Package: SMD-0.5e Ceramic Lid TID max: 100.0Krad(Si) Polarity: N Generation: R9 Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 I[D ](@25°C) max: 40.0A R[DS (on)](@25°C) max: 18.0mΩ V[BRDSS]: 60.0V

IRHNKC9A7130

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

R[DS (on)](@25°C) max: 34.0mΩ Q[G]: 48.0nC Qualification: COTS I[D ](@25°C) max: 35.0A TID max: 100.0Krad(Si) Die Size: 3 QPL Part Number: 2N7648U3C ESD Class: Class 2 Polarity: N Generation: R9 Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 V[F] max: 1.2V Package: SMD-0.5e Ceramic Lid V[BRDSS]: 100.0V

ISC012N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 270.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 33.0nC Q[G](typ @10V): 69.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.28mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 2.1mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC028N03LF2S

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 128.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 13.0nC Q[G](typ @10V): 27.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.8mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 4.5mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC015N03LF2S

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分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 214.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 24.0nC Q[G](typ @10V): 50.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.5mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 2.6mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC052N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 74.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 7.4nC Q[G](typ @10V): 15.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.2mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 9.8mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC033N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 108.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 10.0nC Q[G](typ @10V): 21.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.3mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 5.5mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC023N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 150.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 16.0nC Q[G](typ @10V): 33.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.3mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 3.9mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V

ISC009N03LF2S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: StrongIRFET™ 2 power MOSFET 30 V in SuperSO8 5x6 package

I[D ](@25°C) max: 341.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: SuperSO8 5x6 Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 46.0nC Q[G](typ @10V): 95.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 1.45mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.85V