IAUMN04S7N005GAUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 250A（Tj） 240W（Tc） PG-HSOG-4-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.5 毫欧 @ 125A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 185 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12674 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 240W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOG-4-1
封装/外壳: 4-PowerSFN
SIDR500EP-T1-RE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 94A（Ta），421A（Tc） 7.5W（Ta），150W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 94A（Ta），421A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.47 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8960 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 7.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
AIMBG75R016M1HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 750 V 98A（Tc） 384W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 41.5A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 81 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2869 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 384W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
PJL9850_R2_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 5.4A（Ta） 1.7W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 425pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.7W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
AIMCQ120R030M1TXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 78A（Tc） 417W（Tc） PG-HDSOP-22
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 38 毫欧 @ 27A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 8.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1738 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 417W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
IPB95R130PFD7ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 950 V 36.5A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 130 毫欧 @ 25.1A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1.25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 141 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4170 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 227W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DMP3036SFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 8.7A（Ta） 950mW（Ta） POWERDI3333-8
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1931 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STP42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
STB42N65M5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4650 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
DMC3730UFL3-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 1.1A，700mA 390mW 表面贴装型 X2-DFN1310-6（B 类）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.1A，700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 65.9pF @ 25V
功率 - 最大值: 390mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFDFN 祼焊盘
供应商器件封装: X2-DFN1310-6（B 类）