SH8MA2GZETB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 4.5A（Ta） 1.4W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80mOhm @ 4.5A，10V，82mOhm @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3nC @ 4.5V，6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 125pF @ 15V，305pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.4W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
DMC3016LNS-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 9A（Ta），6.8A（Ta） 1.3W（Ta） 表面贴装型 PowerDI3333-8
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），6.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PowerDI3333-8
DMC3028LSDX-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 5.5A，5.8A 1.2W 表面贴装型 8-SO
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A，5.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 27 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 641pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.2W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO
SQ4435EY-T1_BE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 15A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2170 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
RRH090P03TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 9A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15.4 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 30 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3000 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 650mW（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
DI006H03SQ
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 1.5W（Ta） 表面贴装型 8-SO
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N 和 2 P 沟道（全桥）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A (Ta), 4.2A (Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SO
DMC2700UDM-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 20V 1.34A，1.14A 1.12W 表面贴装型 SOT-26
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.34A，1.14A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 60.67pF @ 16V
功率 - 最大值: 1.12W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-26
DMN61D8LVTQ-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 60V 630mA 820mW 表面贴装型 TSOT-26
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8 欧姆 @ 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.74nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12.9pF @ 12V
功率 - 最大值: 820mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: TSOT-26
DMN6068LK3-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 6A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 68 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 502 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.12W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
AON7296
制造商: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 5A（Ta），12.5A（Tc） 3.1W（Ta），20.8W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta），12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 66 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 415 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），20.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳: 8-PowerVDFN