SIRA20DP-T1-RE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 25 V 81.7A（Ta），100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 81.7A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.58 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10850 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
STP13N80K5
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 12A（Tc） 190W（Tc） TO-220
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 870 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 190W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
CSD16415Q5T
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 25 V 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.15 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 29 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4100 pF @ 12.5 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
FDMS8D8N15C
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 150 V 12.2A（Ta），85A（Tc） 2.7W（Ta），132W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12.2A（Ta），85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.8 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3600 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.7W（Ta），132W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
EPC2029
制造商: EPC数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 48A（Ta） 模具
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.2 毫欧 @ 30A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 12mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: +6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1410 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 模具
封装/外壳: 模具
STH12N120K5-2
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 12A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UF4C120070K3S
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 27.5A（Tc） 217W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 91 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.8 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 217W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
GAN039-650NTBJ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A（Ta） 250W（Ta） CCPAK1212i
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1980 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: CCPAK1212i
封装/外壳: 12-BESOP（0.370，9.40mm 宽），裸焊盘
IMBG65R020M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 91A（Tc） 326W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 91A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 46.9A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 9.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2038 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 326W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R015M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 115A（Tc） 416W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 64.2A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 79 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2792 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 416W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA