IPI086N10N3GXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 100 V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.6 毫欧 @ 73A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3980 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO262-3
封装/外壳: TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IPA086N10N3GXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 100 V 45A（Tc） 37.5W（Tc） PG-TO220-FP
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.6 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3980 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 37.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
IPP086N10N3GHKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 100 V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.6 毫欧 @ 73A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3980 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3
封装/外壳: TO-220-3
IPB123N10N3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.3 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2500 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 94W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IPB025N10N3GATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 206 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14800 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
BSR802NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC59-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 23 毫欧 @ 3.7A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 750mV @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.7 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1447 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SC59-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS316NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 160 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.6 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 94 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS306NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 57 毫欧 @ 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 275 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS205NL6327HTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 20 V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 419 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3