SH8MA4TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 9A（Ta），8.5A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），8.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21.4mOhm @ 9A，10V，29.6mOhm @ 8.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.5nC @ 10V，19.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 640pF @ 15V，890pF @ 15V
功率 - 最大值: 2W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
SQ4005EY-T1_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 12 V 15A（Tc） 6W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧@ 13.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 38 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3600 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
SQ4435EY-T1_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 15A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2170 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21.8 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3950 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 68W（Tc）
工作温度: 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK+
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DMP31D7LVQ-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 620mA（Ta） 500mW（Ta） 表面贴装型 SOT-563
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 620mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 900mOhm @ 420mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 19pF @ 15V
功率 - 最大值: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
MCQ07NP03A-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 7A 1.9W 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18毫欧 @ 6A，10V，23毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA，2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.22nC @ 10V，28.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 526pF @ 15V，1497pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.9W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
DMC3025LDV-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 15A（Tc） 表面贴装型 PowerDI3333-8（UXC 类）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 500pF @ 15V，1188pF @ 15V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PowerDI3333-8（UXC 类）
DMP3056LSSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 30 V 4.9A（Ta） 1.2W（Ta） 8-SO
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 969 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
SH8MA2GZETB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 4.5A（Ta） 1.4W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80mOhm @ 4.5A，10V，82mOhm @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3nC @ 4.5V，6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 125pF @ 15V，305pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.4W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
DMC3016LNS-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 9A（Ta），6.8A（Ta） 1.3W（Ta） 表面贴装型 PowerDI3333-8
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道互补型
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A（Ta），6.8A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.3W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PowerDI3333-8