IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A 功率 - 最大值: 1600 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，300A 电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 18.5 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2400 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，2400A 电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 195 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块