STM32H573LIH3Q
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: ARM® Cortex®-M33F STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 2MB（2M x 8） 闪存 225-TFBGA（13x13）
核心处理器: ARM® Cortex®-M33F
内核规格: 32-位
速度: 250MHz
外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，PDR，POR，PWM，SHA，TRNG，电压检测，WDT
I/O 数: 140
程序存储容量: 2MB（2M x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 640K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
数据转换器: A/D 20x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型: 外部，内部
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 225-TFBGA（13x13）
封装/外壳: 225-TFBGA
STM32H563LIH3QTR
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: ARM® Cortex®-M33F STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 2MB（2M x 8） 闪存 225-TFBGA（13x13）
核心处理器: ARM® Cortex®-M33F
内核规格: 32-位
速度: 250MHz
外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，PDR，POR，PWM，SHA，TRNG，电压检测，WDT
I/O 数: 140
程序存储容量: 2MB（2M x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 640K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
数据转换器: A/D 20x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型: 外部，内部
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 225-TFBGA（13x13）
封装/外壳: 225-TFBGA
STM32H563LIH3Q
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: ARM® Cortex®-M33F STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 2MB（2M x 8） 闪存 225-TFBGA（13x13）
核心处理器: ARM® Cortex®-M33F
内核规格: 32-位
速度: 250MHz
外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，PDR，POR，PWM，SHA，TRNG，电压检测，WDT
I/O 数: 140
程序存储容量: 2MB（2M x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 640K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
数据转换器: A/D 20x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型: 外部，内部
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 225-TFBGA（13x13）
封装/外壳: 225-TFBGA
STM32H573LIH3QTR
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: ARM® Cortex®-M33F STM32H5 微控制器 IC 32-位 250MHz 2MB（2M x 8） 闪存 225-TFBGA（13x13）
核心处理器: ARM® Cortex®-M33F
内核规格: 32-位
速度: 250MHz
外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，PDR，POR，PWM，SHA，TRNG，电压检测，WDT
I/O 数: 140
程序存储容量: 2MB（2M x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 640K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
数据转换器: A/D 20x12b SAR; D/A 2x12b
振荡器类型: 外部，内部
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 225-TFBGA（13x13）
封装/外壳: 225-TFBGA
PIC24EP256MC206T-EMR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: PIC PIC® 24EP 微控制器 IC 16 位 60 MIPs 256KB（85.5K x 24） 闪存 64-QFN（9x9）
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: PIC
内核规格: 16 位
速度: 60 MIPs
连接能力: I2C，IrDA，LINbus，QEI，SPI，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，DMA，电机控制 PWM，POR，PWM，WDT
I/O 数: 53
程序存储容量: 256KB（85.5K x 24）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: -
RAM 大小: 16K x 16
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
数据转换器: A/D 16x10b/12b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 64-QFN（9x9）
封装/外壳: 64-VFQFN 祼焊盘
PIC18LF4682-IPT
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: PIC PIC® 18F 微控制器 IC 8 位 40MHz 80KB（40K x 16） 闪存 44-TQFP（10x10）
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: PIC
内核规格: 8 位
速度: 40MHz
连接能力: CANbus，I2C，SPI，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，HLVD，POR，PWM，WDT
I/O 数: 36
程序存储容量: 80KB（40K x 16）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: 1K x 8
RAM 大小: 3.25K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 11x10b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 44-TQFP（10x10）
封装/外壳: 44-TQFP
PIC18F4682-EPT
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: PIC PIC® 18F 微控制器 IC 8 位 40MHz 80KB（40K x 16） 闪存 44-TQFP（10x10）
DigiKey 可编程: 已验证
核心处理器: PIC
内核规格: 8 位
速度: 40MHz
连接能力: CANbus，I2C，SPI，UART/USART
外设: 掉电检测/复位，HLVD，POR，PWM，WDT
I/O 数: 36
程序存储容量: 80KB（40K x 16）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: 1K x 8
RAM 大小: 3.25K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 4.2V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 11x10b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 44-TQFP（10x10）
封装/外壳: 44-TQFP
R7F7016873AFP-C#AA1
制造商: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: RH850G3KH RH850/F1KM-S1 微控制器 IC 32-位 120MHz 1MB（1M x 8） 闪存 80-LQFP（12x12）
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: RH850G3KH
内核规格: 32-位
速度: 120MHz
连接能力: CANbus，CSI，I2C，LINbus，SPI，UART/USART
外设: DMA，PWM，WDT
I/O 数: 65
程序存储容量: 1MB（1M x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: 64K x 8
RAM 大小: 128K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 14x10b，11x12b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 80-LQFP（12x12）
封装/外壳: 80-LQFP
R7F7016873AFP-C#BA1
制造商: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: RH850G3KH RH850/F1KM-S1 微控制器 IC 32-位 120MHz 1MB（1M x 8） 闪存 80-LFQFP
DigiKey 可编程: 未验证
核心处理器: RH850G3KH
内核规格: 32-位
速度: 120MHz
连接能力: CANbus，CSI，I2C，LINbus，SPI，UART/USART
外设: DMA，PWM，WDT
I/O 数: 65
程序存储容量: 1MB（1M x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: 64K x 8
RAM 大小: 128K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 14x10b，11x12b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q100
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 80-LFQFP
封装/外壳: 80-QFP
R7F7016883AFP-C#BA1
制造商: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
描述: RH850G3KH RH850/F1KM-S1 微控制器 IC 32-位 120MHz 768KB（768K x 8） 闪存 80-LQFP（12x12）
核心处理器: RH850G3KH
内核规格: 32-位
速度: 120MHz
连接能力: CANbus，CSI，I2C，LINbus，SPI，UART/USART
外设: DMA，LVD，PWM，WDT
I/O 数: 65
程序存储容量: 768KB（768K x 8）
程序存储器类型: 闪存
EEPROM 容量: 64K x 8
RAM 大小: 96K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
数据转换器: A/D 14x10b，11x12b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 105°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 80-LQFP（12x12）
封装/外壳: 80-LQFP