NXH50C120L2C2ES1G
制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 三相反相器，带制动器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
物料参数
| IGBT 类型: | - |
| 配置: | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 50 A |
| 功率 - 最大值: | 20 mW |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 250 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 11.89 nF @ 20 V |
| 输入: | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm） |
| 供应商器件封装: | 26-DIP |