FGH75T65SQD-F155
制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 沟槽型场截止 650 V 150 A 375 W 通孔 TO-247-3
物料参数
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 150 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 300 A |
| 功率 - 最大值: | 375 W |
| 开关能量: | 760µJ（导通），180µJ（关断） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 128 nC |
| 反向恢复时间 (trr): | 43 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | TO-247-3 |