物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13A（Ta），20A（Tc），27A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 6 毫欧 @ 13A，10V，1.8 毫欧 @ 27A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 19nC @ 10V，64nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1240pF @ 13V，4335pF @ 13V |
| 功率 - 最大值: | 800mW（Ta），900mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装: | Powerclip-33 |