STL115N10F7AG

制造商: STMICROELECTRONICS

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 表面贴装,可润湿侧翼 N 通道 100 V 107A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat™(5x6)

物料参数

FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 53A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):72.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5600 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):136W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装:PowerFlat™(5x6)
封装/外壳:8-PowerVDFN
DigiKey
库存数量:7928
1: ¥28.7288
10: ¥18.6732
50: ¥14.3505
100: ¥12.9575
500: ¥10.5138
DigiKey
库存数量:7928
1: ¥28.4528
10: ¥18.4938
50: ¥14.2126
100: ¥12.8330
500: ¥10.4128
DigiKey
库存数量:7928
3000: ¥8.7337
9000: ¥8.4020