物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | SiCFET（共源共栅 SiCJFET） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 27A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 105 毫欧 @ 20A，12V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 6V @ 10mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 23 nC @ 12 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 760 pF @ 100 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 136.4W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | D2PAK-7 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA |