NTMFS6H818NT1G
制造商: ONSEMI
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 20A（Ta），123A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 20A（Ta），123A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 190µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 46 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3100 pF @ 40 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.8W（Ta），136W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN，5 引线 |