NXH010P120MNF1PTNG

制造商: ONSEMI

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: SiC模块- EliteSiC 2-Pack半桥拓扑1200V 10mohm SiC M1 MOSFET

物料参数

状态:量产中
Compliance:Pb A H P
Configuration:Half-Bridge
VBR Max (V):1200
RDS(on) Typ (mΩ):10
Application:EV Charging, Energy Infrastructure
Package Type:PIM18 33.8x42.5 (PRESS FIT)
MSL Type:NA
MSL Temp (°C):0
ON Target:No
参考价格:$94.7837
无库存
库存数量:0
询 价