物料参数
| 技术: | SiC（Silicon Carbide）Schottky |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 5A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.5 V @ 5 A |
| 速度: | 零恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 30 µA @ 1200 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 450pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-2 |
| 供应商器件封装: | TO-220AC |
| 工作温度 - 结: | -40°C ~ 175°C |