物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 21A（Ta），111A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 98µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2546pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 3.5W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | 汽车级 |
| 资质: | AEC-Q101 |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |