物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 200mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 12.3pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | 125mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-XFLGA |
| 供应商器件封装: | 6-XLLGA（0.9x0.65） |