INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IRF7313

分类:
数据:

简介: 30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Package: SO-8

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W

Q[gd](typ): 6.4nC

R[thJA] max: 62.5K/W

V[DS] max: 30.0V

V[GS] max: 20.0V

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IRF7303

分类:
数据:

简介: IR MOSFET 30 V in a SO-8 package

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W

Q[gd](typ): 5.3nC

T[j] max: 150.0°C

V[GS] max: 20.0V

Package: SO-8

Polarity: N+N

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IRF7324

分类:
数据:

简介: IR MOSFET -20V in a SO-8 package

Package: SO-8

T[j] max: 150.0°C

V[DS] max: -20.0V

V[GS] max: 12.0V

Moisture Sensitivity Level: 1

Polarity: P+P

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BSC0993ND

分类:
数据:

I[D ](@25°C) max: 17.0A

I[Dpuls] max: 68.0A

Mounting: SMD

Operating Temperature max: 150.0°C

P[tot] max: 2.5W

Polarity: N+N

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IRF7380

分类:
数据:

简介: IR MOSFET 80 V in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level: 1

Package: SO-8

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W

Q[gd](typ): 4.5nC

R[thJA] max: 50.0K/W

V[DS] max: 80.0V

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IRF7316

分类:
数据:

简介: IR MOSFET -30 V in a SO-8 package

Package: SO-8

Polarity: P+P

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W

Q[gd](typ): 5.9nC

T[j] max: 150.0°C

V[GS] max: 20.0V

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AIMCQ120R160M1T

分类:
数据:

简介: Automotive CoolSiC™ MOSFET 1200 V in Q-DPAK (HDSOP-22-3), 160 mΩ

V[DS] max: 1200.0V

Polarity: N

Package: PG-HDSOP-22

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 160.0mΩ

I[D ](@25°C) max: 18.6A

Operating Temperature max: 175.0°C

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IRLHS6276

分类:
数据:

简介: 20V Dual N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a PQFN 2x2 package

Moisture Sensitivity Level: 1

Polarity: N+N

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 1.5W

Q[gd](typ): 1.3nC

R[thJA] max: 86.0K/W

V[DS] max: 20.0V

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IRF7341

分类:
数据:

简介: 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Moisture Sensitivity Level: 1

Package: SO-8

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.0W

R[thJA] max: 62.5K/W

T[j] max: 150.0°C

V[DS] max: 55.0V

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AIMCQ120R120M1T

分类:
数据:

简介: Automotive CoolSiC™ MOSFET 1200 V in Q-DPAK (HDSOP-22-3), 117 mΩ

Package: PG-HDSOP-22

Operating Temperature max: 175.0°C

V[DS] max: 1200.0V

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 117.0mΩ

I[D ](@25°C) max: 24.0A

Polarity: N

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