INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IKW30N65ES5

分类:
数据:

I[rrm]: 18.0A

E[on]: 0.56mJ

I[C](@ 100°) max: 39.5A

I[C](@ 25°) max: 62.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 40.0A

库存数量:

库存数量:

询价

AIKW40N65DF5

分类:
数据:

I[rrm]: 13.7A

E[off](Hard Switching): 0.16mJ

E[on]: 0.35mJ

I[C](@ 100°) max: 46.0A

I[C](@ 25°) max: 74.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKWH40N65WR6

分类:
数据:

简介: 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3-HCC package

E[off](Hard Switching): 0.57mJ

E[on]: 1.09mJ

I[C](@ 25°) max: 75.0A

I[C](@ 100°) max: 40.0A

I[Cpuls] max: 120.0A

I[F] max: 20.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKQB120N75CP2

分类:
数据:

简介: 750 V, 120 A Industrial discrete EDT2 IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS SMD package

E[off](Hard Switching): 8.7mJ

E[on]: 5.5mJ

I[Cpuls] max: 360.0A

I[F] max: 120.0A

I[Fpuls] max: 360.0A

I[rrm]: 51.7A

库存数量:

库存数量:

询价

IKP15N65F5

分类:
数据:

I[rrm]: 8.0A

E[on]: 0.13mJ

I[C](@ 100°) max: 18.0A

I[C](@ 25°) max: 30.0A

I[Cpuls] max: 45.0A

I[F] max: 20.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKQ150N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package

E[on]: 8.0mJ

I[Cpuls] max: 600.0A

I[F] max: 160.0A

I[Fpuls] max: 600.0A

I[rrm]: 69.0A

Q[Gate]: 301.0nC

库存数量:

库存数量:

询价

IKY150N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package

E[off]: 3.9mJ

E[on]: 3.6mJ

I[Cpuls] max: 600.0A

I[F] max: 160.0A

I[Fpuls] max: 600.0A

I[rrm]: 146.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKWH50N65EH7

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package

E[off]: 0.95mJ

E[on]: 2.1mJ

I[Cpuls] max: 200.0A

I[F] max: 80.0A

I[Fpuls] max: 200.0A

I[rrm]: 33.8A

库存数量:

库存数量:

询价

IKW15N120CS7

分类:
数据:

简介: 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

E[off](Hard Switching): 1.6mJ

E[on]: 1.15mJ

I[C](@ 25°) max: 36.0A

I[C](@ 100°) max: 25.0A

I[Cpuls] max: 45.0A

I[F] max: 30.0A

库存数量:

库存数量:

询价

IKWH50N65WR6

分类:
数据:

简介: 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3-HCC package

E[off](Hard Switching): 0.73mJ

E[on]: 1.5mJ

I[C](@ 25°) max: 85.0A

I[C](@ 100°) max: 50.0A

I[Cpuls] max: 150.0A

I[F] max: 24.0A

库存数量:

库存数量:

询价