INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
Configuration: SCR / SCR Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 122/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 2950.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 43.5
V[T0] [V](@T[vj max]): 1.0
| 库存数量: |
Configuration: SCR / SCR Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 260/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 320.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.85
| 库存数量: |
Configuration: Rectifier Diode
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 540/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 14000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 980.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.78
| 库存数量: |
Configuration: Rectifier Diode
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 174/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 5000.0
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.85
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 125.0
| 库存数量: |
Configuration: SCR / SCR Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 430/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 1051.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.95
| 库存数量: |
Configuration: SCR / Diode Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 430/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 720.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.95
| 库存数量: |
Configuration: SCR / Diode Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 140/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 3200.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 51.2
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.9
| 库存数量: |
Configuration: Rectifier Diode
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 98/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 2000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 20.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.82
| 库存数量: |
(di[T]/dt)[cr] [A/µs](@DIN IEC 747- 6): 200.0
Configuration: SCR / Diode Phase Control
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 520/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 14500.0
Features: TIM
R[thJC] [K/W](@180° el sin): 0.058
| 库存数量: |
DZ1100N22K
分类:数据:
简介: 70 mm Single Rectifier Diode module with 2200 V in pressure contact technology
Configuration: Single Rectifier Diode
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 1100/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 40000.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 8000.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.75
| 库存数量: |