INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
Configuration: Rectifier Diode
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 330/100
Features: TIM
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8500.0
R[thJC] [K/W](@180° el sin): 0.086
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
| 库存数量: |
(di[T]/dt)[cr] [A/µs](@DIN IEC 747- 6): 100.0
Configuration: SCR / Diode Phase Control
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 320/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8200.0
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.77
| 库存数量: |
ETT540N22P60
分类:数据:
简介: 60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology
Configuration: SCR / SCR Phase Control
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 13300.0
V[DRM] / V[RRM] [V]: 2200.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.85
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 884.0
r[T] [mΩ](@T[vj max]): 0.425
| 库存数量: |
(di[T]/dt)[cr] [A/µs](@DIN IEC 747- 6): 100.0
Configuration: SCR / Diode Phase Control
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 380/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8100.0
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.77
| 库存数量: |
Configuration: Rectifier Diode
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 170/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 5600.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 157.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.75
| 库存数量: |
(di[T]/dt)[cr] [A/µs](@DIN IEC 747- 6): 100.0
Configuration: SCR / SCR Phase Control
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 320/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 8200.0
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.77
| 库存数量: |
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 1824.0
r[T] [mΩ](@T[vj max]): 0.285
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.8
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
T[vj] [°C]: 135.0
R[thJC] [K/W](@180° el sin): 0.048
| 库存数量: |
Configuration: SCR / Diode Phase Control
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 425/85
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 12500.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 781.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.9
| 库存数量: |
(di[T]/dt)[cr] [A/µs](@DIN IEC 747- 6): 200.0
Configuration: SCR / SCR Phase Control
Housing: 60 mm
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 19100.0
Product Line: Power Block
R[thJC] [K/W](@180° el sin): 0.048
| 库存数量: |
ND171N18K
分类:数据:
简介: 34 mm Single Rectifier Diode Module with 1800 V in pressure contact technology
Configuration: Single Rectifier Diode
V[DRM] / V[RRM] [V]: 1800.0
I[FAVM]/T[C] / I[TAVM]/T[C] [A/°C](@180° el sin): 170/100
I[FSM] / I[TSM] [A](@10ms, Tvj max): 5600.0
∫I2dt [A²s · 103](@10ms, Tvj max): 157.0
V[T0] [V](@T[vj max]): 0.75
| 库存数量: |