INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
I[R] max: 250.0µA
V[F]: 1.8V
I[(FSM)] max: 300.0A
I[F] max: 150.0A
I[rrm]: 131.0A
V[DS] max: 1700.0V
| 库存数量: |
V[DS] max: 1700.0V
I[F] max: 205.0A
I[(FSM)] max: 410.0A
V[F]: 1.9V
I[R] max: 20.0µA
Technology: Emitter Controlled Diode 3
| 库存数量: |
I[R] max: 250.0µA
V[F]: 1.8V
I[(FSM)] max: 300.0A
I[F] max: 150.0A
I[rrm]: 175.0A
V[DS] max: 1700.0V
| 库存数量: |
I[R] max: 250.0µA
V[F]: 1.8V
I[(FSM)] max: 600.0A
I[F] max: 300.0A
I[rrm]: 233.0A
V[DS] max: 1700.0V
| 库存数量: |
V[DS] max: 1700.0V
I[F] max: 235.0A
V[F]: 1.35V
I[R] max: 11.0µA
Technology: Emitter Controlled Diode Fast
I[(FSM)] max: 470.0A
| 库存数量: |
I[R] max: 250.0µA
V[F]: 2.1V
I[(FSM)] max: 70.0A
I[F] max: 35.0A
V[DS] max: 1200.0V
Technology: Emitter Controlled Diode Fast
| 库存数量: |
V[DS] max: 1200.0V
I[F] max: 100.0A
V[F]: 1.7V
I[R] max: 18.0µA
Technology: Emitter Controlled Diode 4 Medium Power
I[(FSM)] max: 200.0A
| 库存数量: |
I[R] max: 250.0µA
V[F]: 1.6V
I[(FSM)] max: 45.0A
I[rrm]: 17.0A
I[F] max: 22.5A
V[DS] max: 600.0V
| 库存数量: |
I[R] max: 250.0µA
V[F]: 2.1V
I[(FSM)] max: 150.0A
I[F] max: 75.0A
V[DS] max: 1200.0V
Technology: Emitter Controlled Diode Fast
| 库存数量: |
I[F] max: 100.0A
V[F]: 1.9V
I[R] max: 18.0µA
V[DS] max: 1200.0V
Technology: Emitter Controlled Diode 4 High Power
I[(FSM)] max: 200.0A
| 库存数量: |