INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
IQDH88N06LM5CG
分类:数据:
简介: OptiMOS™ power MOSFETs 60 V in PQFN 5x6 mm2 Source-Down package with industry leading RDS(on) .
I[D ](@25°C) max: 447.0A
I[Dpuls] max: 1788.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: PQFN 5x6 Source-Down
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 76.0nC
| 库存数量: |
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W
Q[gd]: 8.7nC
R[thJA] max: 50.0K/W
T[j] max: 150.0°C
V[DS] max: 80.0V
V[GS] max: 20.0V
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 380.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 83.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 32.0nC
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 328.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 74.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 27.0nC
| 库存数量: |
I[D ](@25°C) max: 306.0A
I[Dpuls] max: 1224.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 214.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 400.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 156.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 74.0nC
| 库存数量: |
IQE050N08NM5CG
分类:数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance
I[D ](@25°C) max: 101.0A
Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 34.6nC
R[DS (on)](@10V) max: 5.0mΩ
V[DS] max: 80.0V
| 库存数量: |
IQE046N08LM5CG
分类:数据:
简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate package
I[D ](@25°C) max: 99.0A
I[Dpuls] max: 396.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 100.0W
Package: PQFN 3.3x3.3 Source-Down
Polarity: N
| 库存数量: |
BSC065N06LS5
分类:数据:
简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package
I[Dpuls] max: 256.0A
Mounting: SMD
P[tot] max: 46.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 10.0nC
| 库存数量: |
I[D ](@25°C) max: 295.0A
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 63.0nC
Q[G](typ @10V): 127.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 1.15mΩ
| 库存数量: |