INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

BSC025N08LS5

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs in logic level provide low RDS(on) in a small package

I[D ](@25°C) max: 187.0A

I[D ](@ T[C]=25°C) max: 187.0A

I[Dpuls] max: 748.0A

P[tot] max: 156.0W

Pin Count: 8.0Pins

Polarity: N

库存数量:

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BSC097N06NS

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

V[DS] max: 60.0V

P[tot] max: 36.0W

I[Dpuls] max: 184.0A

Q[G](typ @10V): 12.0nC

R[th]: 3.5K/W

R[thJC] max: 3.5K/W

库存数量:

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BSC066N06NS

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

P[tot] max: 46.0W

I[Dpuls] max: 256.0A

Q[G](typ @10V): 17.0nC

R[th]: 2.7K/W

R[thJC] max: 2.7K/W

R[thJA] max: 50.0K/W

库存数量:

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BSC033N08NS5SC

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs 80 V in SuperSO8 DSC package with dual-side cooling for enhanced thermal performance

I[D ](@25°C) max: 144.0A

I[Dpuls] max: 576.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot] max: 136.0W

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 53.0nC

库存数量:

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BSC014N06NSSC

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC package with dual-side cooling for enhanced thermal performance

I[D ](@25°C) max: 261.0A

I[Dpuls] max: 1044.0A

P[tot] max: 188.0W

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 89.0nC

R[DS (on)](@10V) max: 1.4mΩ

库存数量:

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ISC009N06LM5

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: Performance improvements with best-in-class OptiMOS™ power MOSFET 60 V in high performance Super SO8 package

I[D ](@25°C) max: 348.0A

Package: SuperSO8 5x6

Polarity: N

Q[G](typ @4.5V): 77.0nC

Q[G](typ @10V): 157.0nC

R[DS (on)](@10V) max: 0.9mΩ

库存数量:

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BSC016N06NSSC

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC package with dual-side cooling for enhanced thermal performance

C[iss]: 5200.0pF

C[oss]: 1200.0pF

I[D ](@25°C) max: 234.0A

I[Dpuls] max: 936.0A

Mounting: SMD

P[tot] max: 167.0W

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IPP040N06N

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

I[Dpuls] max: 320.0A

R[th]: 1.4K/W

P[tot] max: 107.0W

V[DS] max: 60.0V

Q[G](typ @10V): 38.0nC

Package: TO-220

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ISC010N06NM5

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: OptiMOS™ 5 Single N-Channel Power MOSFET 60 V, 1.05 mΩ, 330 A in a SSO8 package

I[D ](@25°C) max: 330.0A

I[D ] max: 330.0A

I[Dpuls] max: 1320.0A

Mounting: SMT

P[tot] max: 214.0W

Package: SuperSO8 5x6

库存数量:

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BSC034N06NS

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

V[DS] max: 60.0V

P[tot] max: 74.0W

I[Dpuls] max: 448.0A

Q[G](typ @10V): 33.0nC

R[th]: 1.7K/W

R[thJC] max: 1.7K/W

库存数量:

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