INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
IRF3205S
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: IR MOSFET 55 V in a D²PAK package
Moisture Sensitivity Level: 1
Polarity: N
T[j] max: 175.0°C
P[tot] max: 200.0W
Mounting: SMD
Package: D2PAK (TO-263)
| 库存数量: |
R[th]: 1.0K/W
I[Dpuls] max: 360.0A
R[thJC] max: 1.0K/W
P[tot] max: 150.0W
V[DS] max: 60.0V
Q[G](typ @10V): 98.0nC
| 库存数量: |
IRFS3206
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot] max: 300.0W
Q[gd]: 35.0nC
R[thJC] max: 0.5K/W
| 库存数量: |
IRFS3607
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Polarity: N
P[tot] max: 140.0W
Package: D2PAK (TO-263)
Q[gd]: 16.0nC
| 库存数量: |
IRLZ34NS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 55V Single N-Channel Power MOSFET in a D2-Pak package
Mounting: SMD
Package: D2PAK (TO-263)
P[tot] max: 68.0W
Q[gd]: 9.3nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 16.0V
| 库存数量: |
IRF2907ZS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Tj: None°C
VGS: NoneV
RthJC: NoneK/W
Mounting: SMD
Ptot: NoneW
Moisture Sensitivity Level: 1
| 库存数量: |
Rth: 0.5K/W
IDpuls: NoneA
RthJC: NoneK/W
Ptot: NoneW
VDS: NoneV
QG(typ @10V): 155.0nC
| 库存数量: |
IPTC012N06NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 60 V in TOLT for excellent thermal performance
I[D ](@25°C) max: 311.0A
I[Dpuls] max: 1244.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 214.0W
Package: TOLT (HDSOP-16)
Polarity: N
| 库存数量: |