INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IRFR2307Z

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

Mounting: SMD

Package: DPAK (TO-252)

Ptot: NoneW

Qgd: 19.0nC

Tj: None°C

VGS: NoneV

库存数量:

库存数量:

询价

IRFR1018E

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 60V Single N-Channel Power MOSFET in a DPAK package

Moisture Sensitivity Level: 1

Polarity: N

R[thJC] max: 1.32K/W

V[DS] max: 60.0V

Mounting: SMD

Package: DPAK (TO-252)

库存数量:

库存数量:

询价

IRF7749L1

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: A 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package rated at 33 amperes optimized with low on resistance.

Moisture Sensitivity Level: 1

Polarity: N

P[tot] max: 125.0W

Q[gd]: 71.0nC

T[j] max: 175.0°C

V[GS] max: 20.0V

库存数量:

库存数量:

询价

IRF6646

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 80V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MN package

Mounting: SMD

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.8W

R[thJC] max: 1.4K/W

V[DS] max: 80.0V

Moisture Sensitivity Level: 1

Polarity: N

库存数量:

库存数量:

询价

BSB104N08NP3G

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

V[DS] max: 80.0V

P[tot] max: 42.0W

I[Dpuls] max: 200.0A

Q[G](typ @10V): 23.0nC

R[th]: 3.0K/W

R[thJC] max: 3.0K/W

库存数量:

库存数量:

询价

BSB028N06NN3G

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

I[Dpuls] max: 360.0A

R[th]: 1.0K/W

P[tot] max: 78.0W

V[DS] max: 60.0V

Q[G](typ @10V): 108.0nC

Polarity: N

库存数量:

库存数量:

询价

IRF6648

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MN package

Moisture Sensitivity Level: 1

Polarity: N

Mounting: SMD

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.8W

P[tot] max: 89.0W

Q[gd]: 14.0nC

库存数量:

库存数量:

询价

IRF6674

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a DirectFET™ MX package

Q[gd]: 8.3nC

T[j] max: 150.0°C

V[GS] max: 20.0V

Mounting: SMD

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.6W

R[thJC] max: 1.4K/W

库存数量:

库存数量:

询价

IRFSL3206

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 60V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-262 package

Mounting: THT

Polarity: N

Ptot: NoneW

RthJC: NoneK/W

VGS: NoneV

Package: I2PAK (TO-262)

库存数量:

库存数量:

询价

IRLU024N

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 55V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package

Mounting: THT

P[tot] max: 38.0W

R[thJC] max: 3.3K/W

V[DS] max: 55.0V

Package: IPAK (TO-251)

Polarity: N

库存数量:

库存数量:

询价