INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
BSC021N08NS5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ power MOSFETs in SuperSO8 package
I[D ](@25°C) max: 100.0A
I[Dpuls] max: 400.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 214.0W
Pin Count: 8.0Pins
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 636.0A
R[th]: 0.8K/W
P[tot] max: 156.0W
V[DS] max: 75.0V
Q[G](typ @10V): 63.4nC
Polarity: N
| 库存数量: |
ISC0703NLS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs - perfectly addressing the needs of charger and adapter designs
I[D ](@25°C) max: 57.0A
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 8.7nC
Q[G](typ @10V): 17.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 6.9mΩ
| 库存数量: |
ISC0602NLS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET - perfectly addressing the needs of charger and adapter designs
I[D ](@25°C) max: 66.0A
Package: SuperSO8 5x6
Polarity: N
Q[G](typ @4.5V): 11.0nC
Q[G](typ @10V): 22.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 7.3mΩ
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 400.0A
R[th]: 1.0K/W
P[tot] max: 125.0W
V[DS] max: 80.0V
Q[G](typ @10V): 52.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 900.0A
R[th]: 0.9K/W
P[tot] max: 139.0W
V[DS] max: 60.0V
Q[G](typ @10V): 71.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 400.0A
R[th]: 1.0K/W
P[tot] max: 125.0W
V[DS] max: 75.0V
Q[G](typ @10V): 52.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 200.0A
R[th]: 2.5K/W
P[tot] max: 50.0W
V[DS] max: 60.0V
Q[G](typ @4.5V): 15.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
I[Dpuls] max: 220.0A
R[th]: 2.5K/W
P[tot] max: 50.0W
V[DS] max: 60.0V
Q[G](typ @4.5V): 15.0nC
Polarity: N
| 库存数量: |
