INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IRFB4332

分类:
数据:

简介: 250V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Package: TO-220

Polarity: N

P[tot] max: 390.0W

Q[gd]: 35.0nC

R[thJC] max: 0.38K/W

T[j] max: 175.0°C

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IPP030N10N5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

I[Dpuls] max: 480.0A

Mounting: THT

P[tot] max: 250.0W

Package: TO-220

Pin Count: 3.0Pins

Polarity: N

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BSC105N15LS5

分类:
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简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V logic level in SuperSO8

I[D ](@25°C) max: 76.0A

Operating Temperature max: 150.0°C

Package: SuperSO8 5x6

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 34.0nC

Q[G](typ @4.5V): 18.1nC

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IRFB4020

分类:
数据:

简介: 200V Single N-Channel Digital Audio Power MOSFET in a TO-220 package

Package: TO-220

Polarity: N

R[thJC] max: 1.43K/W

V[GS] max: 20.0V

P[tot] max: 100.0W

T[j] max: 175.0°C

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IPP076N15N5

分类:
数据:

I[Dpuls] max: 448.0A

Mounting: THT

P[tot] max: 214.0W

Package: TO-220

Pin Count: 3.0Pins

Polarity: N

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BSC093N15NS5SC

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFETs 150 V in SuperSO8 DSC package with dual-side cooling for enhanced thermal performance

I[D ](@25°C) max: 89.0A

I[Dpuls] max: 356.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot] max: 167.0W

Package: SuperSO8 5x6 DSC

Polarity: N

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IRFB4127

分类:
数据:

简介: 200V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Mounting: THT

Package: TO-220

P[tot] max: 375.0W

Q[gd]: 31.0nC

T[j] max: 175.0°C

V[GS] max: 20.0V

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IPP082N10NF2S

分类:
数据:

简介: StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 100 V in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 77.0A

I[Dpuls] max: 308.0A

Mounting: THT

P[tot] max: 100.0W

Package: TO-220

Pin Count: 3.0Pins

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IPP600N25N3G

分类:
数据:

I[Dpuls] max: 100.0A

R[th]: 1.1K/W

P[tot] max: 136.0W

V[DS] max: 250.0V

Q[G](typ @10V): 22.0nC

Package: TO-220

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IRLB4030

分类:
数据:

简介: 100V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Package: TO-220

Polarity: N

P[tot] max: 370.0W

Q[gd]: 45.0nC

T[j] max: 175.0°C

V[DS] max: 100.0V

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