INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IRF150P221

分类:
数据:

简介: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 Package

I[D ](@25°C) max: 186.0A

I[D ](@ T[C]=100°C) max: 132.0A

Mounting: THT

P[tot] max: 341.0W

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.8W

Package: TO-247

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IRFP4229

分类:
数据:

简介: 250V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT

Polarity: N

P[tot] max: 310.0W

R[thJC] max: 0.49K/W

V[GS] max: 30.0V

T[j] max: 175.0°C

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IRF150P220

分类:
数据:

简介: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 Package

I[D ](@25°C) max: 203.0A

I[D ](@ T[C]=100°C) max: 224.0A

Mounting: THT

P[tot] max: 556.0W

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 3.8W

Package: TO-247

库存数量:

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IRFP4332

分类:
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简介: 250V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Package: TO-247

Polarity: N

P[tot] max: 360.0W

Q[gd]: 35.0nC

R[thJC] max: 0.42K/W

T[j] max: 175.0°C

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IRFP4321

分类:
数据:

简介: 150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT

Package: TO-247

Polarity: N

Q[gd]: 21.0nC

T[j] max: 175.0°C

V[DS] max: 150.0V

库存数量:

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IPTG025N10NM5

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简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 206.0A

Package: TOLG (HSOG-8)

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 96.0nC

R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ

V[DS] max: 100.0V

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IPTG039N15NM5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 190.0A

I[D ] max: 190.0A

I[Dpuls] max: 760.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot] max: 319.0W

Package: TOLG (HSOG-8)

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IPTG063N15NM5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 122.0A

I[D ] max: 122.0A

I[Dpuls] max: 488.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot] max: 214.0W

Package: TOLG (HSOG-8)

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IPTG018N10NM5

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 273.0A

Package: TOLG (HSOG-8)

Polarity: N

Q[G](typ @10V): 122.0nC

R[DS (on)](@10V) max: 1.8mΩ

V[DS] max: 100.0V

库存数量:

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IPTG014N10NM5

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数据:

简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 366.0A

I[Dpuls] max: 1464.0A

Mounting: SMT

P[tot] max: 375.0W

Package: TOLG (HSOG-8)

Pin Count: 8.0Pins

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