INFINEON
Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战： 高能效、 移动性和 安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。
IPTC020N13NM6
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLT
I[D ](@25°C) max: 297.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
Package: TOLT (HDSOP-16)
Polarity: N
Q[G](typ @10V): 159.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ
| 库存数量: |
IST026N10NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V, 2.6 mOhm, 248 A, in sTOLL - 7x8 mm2 power MOS package
I[D ](@25°C) max: 248.0A
I[Dpuls] max: 992.0A
P[tot] max: 313.0W
Package: sTOLL (HSOF-5)
Pin Count: 5.0Pins
Polarity: N
| 库存数量: |
IPTC014N10NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance
I[D ](@25°C) max: 365.0A
I[Dpuls] max: 1460.0A
Operating Temperature max: 175.0°C
P[tot] max: 375.0W
Package: TOLT (HDSOP-16)
Polarity: N
| 库存数量: |
V[GS(th)] max: 4.0V
Die Size(-) max: 6.7mm²
EAS/Avalanche Energy: 45.0mJ
Technology: OptiMOS™ 3
V[DS]: 150 V
Thickness: 250
| 库存数量: |
IPTC019N10NM5
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance
I[D ](@25°C) max: 279.0A
I[Dpuls] max: 1116.0A
Mounting: SMT
P[tot] max: 300.0W
Package: TOLT (HDSOP-16)
Pin Count: 16.0Pins
| 库存数量: |
IRF1310NS
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Mounting: SMD
P[tot] max: 3.8W
V[GS] max: 20.0V
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: D2PAK (TO-263)
Polarity: N
| 库存数量: |
Die Size(X): 6 mm
Die Size(Y): 5.2 mm
Die Size(Area): 31.26 mm²
EAS/Avalanche Energy: 45.0mJ
Mode: Enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
| 库存数量: |
IPB110N20N3LF
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管数据:
简介: Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)
IDpuls: NoneA
Mounting: SMD
Ptot: NoneW
Package: D2PAK (TO-263)
Pin Count: 3.0Pins
Polarity: N
| 库存数量: |
