INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IPP120N10S4-03

分类:
数据:

简介: 100V, N-Ch, 3.9 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2

I[Dpuls] max:  480.0A
R[thJC] max:  0.6K/W
P[tot] max:  250.0W
Qualification:  Automotive
Package:  TO220 (PG-TO220-3)
V[DS] max:  100.0V
库存数量:
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AUIRF3205

分类:
数据:

简介: 55V, N-Ch, 8 mΩ max, Automotive MOSFET, TO220, Gen 7

Mounting:  THT
Q[gd]:  36.0nC
R[thJC] max:  0.75K/W
T[j] max:  175.0°C
V[GS] max:  20.0V
P[tot] max:  200.0W
库存数量:
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IDYH80G200C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247PLUS-4 HCC package

I[(FSM)] max:  463.0A
I[F] max:  80.0A
I[R]:  0.04mA
P[tot] max:  656.0W
Q[C]:  716.0nC
Qualification:  Industrial
库存数量:
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IDYH50G200C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247PLUS-4 HCC package

I[(FSM)] max:  325.0A
I[F] max:  50.0A
I[R]:  0.025mA
P[tot] max:  789.0W
Q[C]:  450.0nC
Qualification:  Industrial
库存数量:
询 价

IDYH25G200C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247PLUS-4 HCC package

I[(FSM)] max:  193.0A
I[F] max:  25.0A
I[R]:  0.012mA
P[tot] max:  468.0W
Q[C]:  224.0nC
Qualification:  Industrial
库存数量:
询 价

IDYH40G200C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247PLUS-4 HCC package

I[(FSM)] max:  275.0A
I[F] max:  40.0A
I[R]:  0.02mA
P[tot] max:  652.0W
Q[C]:  358.0nC
Qualification:  Industrial
库存数量:
询 价

IDYH10G200C5

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ Schottky diode 2000 V in TO-247PLUS-4 HCC package

I[(FSM)] max:  97.0A
I[F] max:  10.0A
I[R]:  0.005mA
P[tot] max:  245.0W
Q[C]:  89.0nC
Qualification:  Industrial
库存数量:
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IQE008N03LM5SC

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC package

I[D ](@25°C) max:  252.0A
I[Dpuls] max:  1008.0A
Operating Temperature max:  150.0°C
Package:  PQFN 3.3x3.3 Source-Down
Polarity:  N
Q[G](typ @4.5V):  30.0nC
库存数量:
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IQE008N03LM5CGSC

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate DSC package

I[D ](@25°C) max:  252.0A
I[Dpuls] max:  1008.0A
Operating Temperature max:  150.0°C
Package:  PQFN 3.3x3.3 Source-Down
Polarity:  N
Q[G](typ @4.5V):  30.0nC
库存数量:
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IQDH45N04LM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V logic level in PQFN 5x6 Source-Down package with very low RDS(on).

I[D ](@25°C) max:  637.0A
I[Dpuls] max:  2548.0A
Mounting:  SMD
Operating Temperature max:  175.0°C
Package:  PQFN 5x6 Source-Down
Polarity:  N
库存数量:
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