INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

FZ1200R12HE4P

分类:
数据:

简介: 1200 V, 1200 A single switch IGBT module

Configuration:  Single switch
Features:  TIM
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  1200.0A
I[C] max:  1200.0A
Qualification:  Industrial
Technology:  IGBT4 - E4
库存数量:
询 价

FZ400R12KE3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 400 A single switch IGBT module

I[C] max:  400.0A
Housing:  62 mm
V[F](Tvj=25°C typ):  1.65V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  400.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
Configuration:  Single switch
库存数量:
询 价

FF300R17KE3

分类:
数据:

简介: 1700 V, 300 A dual IGBT module

I[C] max:  300.0A
V[F](Tvj=25°C typ):  1.8V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  300.0A
V[CES] / V[RRM]:  1700.0V
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  2.0V
Housing:  62 mm
库存数量:
询 价

FZ2400R12HP4_B9

分类:
数据:

简介: 1200 V, 2400 A single switch IGBT module

I[C] max:  2400.0A
V[F](Tvj=25°C typ):  1.8V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  2400.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
Configuration:  Single switch
Qualification:  Industrial
库存数量:
询 价

DZ800S17K3

分类:
数据:

简介: 1700 V, 800 A diodes IGBT module

I[C] max:  800.0A
V[F](Tvj=25°C typ):  1.8V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  800.0A
V[CES] / V[RRM]:  1700.0V
Configuration:  Diodes
Housing:  62 mm
库存数量:
询 价

FZ600R12KE3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 600 A single switch IGBT module

I[C] max:  600.0A
Housing:  62 mm
V[F](Tvj=25°C typ):  1.65V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  600.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
Configuration:  Single switch
库存数量:
询 价

FF600R17ME4

分类:
数据:

简介: 1700 V, 600 A dual IGBT module

V[F](Tvj=25°C typ):  1.8V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  600.0A
V[CES] / V[RRM]:  1700.0V
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.95V
I[C] max:  600.0A
Housing:  EconoDUAL™ 3
库存数量:
询 价

FF600R17ME4P

分类:
数据:

简介: 1700 V, 600 A dual IGBT module

Qualification:  Industrial
Technology:  IGBT4 - E4
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.95V
V[CES] / V[RRM]:  1700.0V
V[F](Tvj=25°C typ):  1.8V
Configuration:  Dual
库存数量:
询 价

FF800R17KP4_B2

分类:
数据:

简介: 1700 V, 800 A dual IGBT module

V[F](Tvj=25°C typ):  1.55V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  800.0A
V[CES] / V[RRM]:  1700.0V
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.9V
I[C] max:  800.0A
Features:  Enlarged Diode
库存数量:
询 价

FF450R17ME4P

分类:
数据:

简介: 1700 V, 450 A dual IGBT module

Housing:  EconoDUAL™ 3
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  450.0A
I[C] max:  450.0A
Qualification:  Industrial
Technology:  IGBT4 - E4
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.95V
库存数量:
询 价