INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

FF600R12ME4P

分类:
数据:

简介: 1200 V, 600 A dual IGBT module

Configuration:  Dual
Dimensions(length):  152.0mm
Dimensions(width):  62.0mm
Features:  TIM
Housing:  EconoDUAL™ 3
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  600.0A
库存数量:
询 价

FF600R12ME4C

分类:
数据:

简介: 1200 V, 600 A dual IGBT module

Configuration:  Dual
Housing:  EconoDUAL™ 3
I[C] max:  600.0A
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  600.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.75V
V[F](Tvj=25°C typ):  1.9V
库存数量:
询 价

FF900R12IP4V

分类:
数据:

简介: 1200 V, 900 A dual IGBT module

I[C] max:  900.0A
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  900.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
V[F](Tvj=25°C typ):  1.9V
Configuration:  Dual
Housing:  PrimePACK™ 2
库存数量:
询 价

FF200R12KT3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 200 A dual IGBT module

I[C] max:  200.0A
Housing:  62 mm
V[F](Tvj=25°C typ):  1.65V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  200.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
Configuration:  Dual
库存数量:
询 价

FF300R12ME3

分类:
数据:

简介: 1200 V, 300 A dual IGBT module

I[C] max:  300.0A
Housing:  EconoDUAL™ 3
V[F](Tvj=25°C typ):  1.65V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  300.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
Qualification:  Industrial
库存数量:
询 价

FF900R12IP4DV

分类:
数据:

简介: 1200 V, 900 A dual IGBT module

I[C] max:  900.0A
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  900.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
V[F](Tvj=25°C typ):  1.65V
Configuration:  Dual
Housing:  PrimePACK™ 2
库存数量:
询 价

FF150R12KT3G

分类:
数据:

简介: 1200 V, 150 A dual IGBT module

I[C] max:  150.0A
Housing:  62 mm
V[F](Tvj=25°C typ):  1.65V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  150.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.7V
Configuration:  Dual
库存数量:
询 价

FF600R12IE4V

分类:
数据:

简介: 1200 V, 600 A dual IGBT module

I[C] max:  600.0A
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  600.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.75V
V[F](Tvj=25°C typ):  1.8V
Configuration:  Dual
Housing:  PrimePACK™ 2
库存数量:
询 价

FF600R12ME4C_B11

分类:
数据:

简介: 1200 V, 600 A dual IGBT module

Configuration:  Dual
Housing:  EconoDUAL™ 3
Features:  PressFIT
I[C] max:  600.0A
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  600.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  1.75V
库存数量:
询 价

FF150R12KS4_B2

分类:
数据:

简介: 1200 V, 150 A dual IGBT module

I[C] max:  150.0A
Housing:  62 mm
Features:  M5 power terminals
V[F](Tvj=25°C typ):  2.0V
I[C(nom)] / I[F(nom)]:  150.0A
V[CE(sat)](Tvj=25°C typ):  3.2V
库存数量:
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