INFINEON

Infineon 英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战：高能效、移动性和安全性，为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称，并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。

IGD70R500D2S

分类:
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简介: CoolGaN™ Transistor 700 V G5

Generation: G5

V[DS] max: 700.0V

R[DS (on)](typ): 500.0mΩ

Q[G]: 0.53nC

Mounting: SMT

I[Dpuls](@25°C) max: 6.7A

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IGD70R270D2S

分类:
数据:

简介: CoolGaN™ Transistor 700 V G5

Generation: G5

V[DS] max: 700.0V

R[DS (on)](typ): 270.0mΩ

Q[G]: 1.0nC

Mounting: SMT

I[D ](@25°C) max: 5.8A

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IPB175N20NM6

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简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in D²PAK 3-pin package

I[D ](@25°C) max: 61.0A

I[D ] max: 61.0A

I[Dpuls] max: 244.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

Package: D2PAK (TO-263)

Polarity: N

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IPP175N20NM6

分类:
数据:

简介: OptiMOS™ 6 power MOSFET 200 V normal level in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 61.0A

I[D ] max: 61.0A

I[Dpuls] max: 244.0A

Operating Temperature max: 175.0°C

Package: TO-220

Polarity: N

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FS17MR12W2M1H_B11_A

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简介: CoolSiC™ MOSFET six-pack module 1200 V

Configuration: Sixpack

Dimensions(width): 48.0mm

Dimensions(length): 62.8mm

Features: PressFIT

Housing: Easy 2B

R[DS (on)](@ Tj = 25°C): 16.2mΩ

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IMZA120R040M2H

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数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V G2 in TO247-4 package

C[iss]: 1310.0pF

C[oss]: 55.0pF

I[D ](@ T[C]=25°C) max: 48.0A

Mounting: THT

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 109.0W

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IMYR140R011M2H

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数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package

C[iss]: 4830.0pF

C[oss]: 168.0pF

I[D ](@25°C) max: 162.0A

Mounting: THT

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 580.0W

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IMZA120R017M2H

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V G2 in TO247-4 package

C[iss]: 2910.0pF

C[oss]: 126.0pF

I[D ](@ T[C]=25°C) max: 97.0A

Mounting: THT

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 382.0W

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IMYR140R019M2H

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数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package

C[iss]: 2860.0pF

C[oss]: 99.0pF

I[D ](@25°C) max: 100.0A

Mounting: THT

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 385.0W

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IMYR140R029M2H

分类:
数据:

简介: CoolSiC™ MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package

C[iss]: 1960.0pF

C[oss]: 67.0pF

I[D ](@25°C) max: 71.0A

Mounting: THT

Operating Temperature max: 175.0°C

P[tot](@ T[A]=25°C) max: 288.0W

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