ONSEMI

1N5369BG

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 51 V 5 W ±5% 通孔 轴向

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 51 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 5 W 阻抗(最大值)(Zzt): 27 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 38.8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 1 A 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: T-18,轴向 供应商器件封装: 轴向

RFP70N06

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: 通孔 N 通道 60 V 70A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 @ 70A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 156 nC @ 20 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2250 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 150W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3

FGA25N120ANTDTU-F109

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
数据:

简介: IGBT,1200V,25A,NPT 沟槽

状态: Lifetime 相似产品推荐 Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 1200 IC Max (A): - VCE(sat) Typ (V): - VF Typ (V): 2 Eoff Typ (mJ): 0.96 Eon Typ (mJ): 4.1 Trr Typ (ns): - Irr Typ (A): 27 Gate Charge Typ (nC): 200 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 312 Co-Packaged Diode: - Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: N Reference Price: $1.931

FGA40N65SMD

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
数据:

简介: IGBT,650V,40A,场截止

状态: Active, Not Rec Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 650 IC Max (A): 40 VCE(sat) Typ (V): 1.9 VF Typ (V): 2.1 Eoff Typ (mJ): 0.26 Eon Typ (mJ): 0.34 Trr Typ (ns): 200 Irr Typ (A): 3.6 Gate Charge Typ (nC): 119 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 349 Co-Packaged Diode: Yes Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: Yes 参考价格: $1.889

FGA40T65UQDF

制造商: ONSEMI
分类:
数据:

简介: IGBT,650 V,40A,场截止沟槽

FGA40T65SHD

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
数据:

简介: IGBT,650 V,40A,场截止沟槽

状态: Active Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 650 IC Max (A): 40 VCE(sat) Typ (V): 1.6 VF Typ (V): 2.2 Eoff Typ (mJ): 0.297 Eon Typ (mJ): 1.01 Trr Typ (ns): 192 Irr Typ (A): - Gate Charge Typ (nC): 72.2 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 268 Co-Packaged Diode: Yes Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: Y Reference Price: $1.5394

FGA5065ADF

制造商: ONSEMI
分类:
数据:

简介: IGBT,650 V,50A,场截止沟槽

FGA50N100BNTDTU

制造商: ONSEMI
分类:
数据:

简介: IGBT,1000V,NPT 沟槽

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Channel Polarity: N-Channel V(BR)DSS Min (V): 52 ID Typ (A): 9 rDS(on) Max (mΩ): 181 PD Max (W): 28.8 Package Type: SOT-223-4 / TO-261-4 MSL Type: 3 MSL Temp (°C): 260 ON Target: No 参考价格: Price N/A
状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Channel Polarity: N-Channel V(BR)DSS Min (V): - ID Typ (A): - rDS(on) Max (mΩ): - PD Max (W): - Package Type: Bare Die MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A