ONSEMI

CD4002BCN

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 通用数字电路

简介: 或非门 IC 2 通道 14-MDIP

逻辑类型: 或非门 电路数: 2 输入数: 4 特性: - 电压 - 供电: 3V ~ 15V 电流 - 静态(最大值): 1 µA 电流 - 输出高、低: 3.4mA,3.4mA 逻辑电平 - 低: 1.5V ~ 4V 逻辑电平 - 高: 3.5V ~ 11V 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 70ns @ 15V,50pF 工作温度: -55°C ~ 125°C 安装类型: 通孔 供应商器件封装: 14-MDIP 封装/外壳: 14-DIP(0.300,7.62mm)

FDLL4148

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 200mA 表面贴装型 SOD-80

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80 供应商器件封装: SOD-80 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

LL4148

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 200mA 表面贴装型 SOD-80

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80 供应商器件封装: SOD-80 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

FDLL4148-D87Z

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 100 V 200mA 表面贴装型 SOD-80

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80 供应商器件封装: SOD-80 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

NRVUA120VT3G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 200 V 1A 表面贴装型 SMA

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC,SMA 供应商器件封装: SMA 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

RB520S30T1G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 30 V 200mA 表面贴装型 SOD-523

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 200 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 10 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79,SOD-523 供应商器件封装: SOD-523 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

RB520S30T5G

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 30 V 200mA 表面贴装型 SOD-523

技术: 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 30 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 200 mA 速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 10 V 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79,SOD-523 供应商器件封装: SOD-523 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

1N4740A_T50R

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-41

1N4740A_S00Z

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

简介: 二极管 - 齐纳 10 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 10 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗(最大值)(Zzt): 7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 7.6 V 工作温度: -65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-41

1N5231BTR

制造商: ONSEMI
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.1 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 17 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 2 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装: DO-35