ONSEMI
KSB1149YSTU
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 100 V 3 A 1.3 W 通孔 TO-126-3
晶体管类型: PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.2V @ 1.5mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 4000 @ 1.5A，2V
功率 - 最大值: 1.3 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装: TO-126-3
LM317MTG
制造商: ONSEMI分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
数据:
简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 可调式 1 输出 500mA TO-220
输出配置: 正
输出类型: 可调式
稳压器数: 1
电压 - 输入（最大值）: 40V
电压 - 输出（最小值/固定）: 1.2V
电压 - 输出（最大值）: 37V
电压降（最大值）: -
电流 - 输出: 500mA
电流 - 静态 (Iq): 10 mA
PSRR: 80dB ~ 65dB（120Hz）
控制特性: -
保护功能: 过流，超温，短路
工作温度: 0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
NCP1052ST136T3G
制造商: ONSEMI分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 开关电源电路
数据:
简介: 离线转换器 反激 拓扑 136kHz SOT-223（TO-261）
输出隔离: 隔离
内部开关: 是
电压 - 击穿: 700V
拓扑: 反激
电压 - 启动: 8.5 V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 7.5V ~ 10V
占空比: 77%
频率 - 开关: 136kHz
功率 (W): 40 W
故障保护: 限流，开路，过载，超温
控制特性: -
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223（TO-261）
安装类型: 表面贴装型
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA，DO-27，轴向
供应商器件封装: 轴向
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
1N5239BTR
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
2SD1624T-TD-E
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
2SD1624S-TD-E
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 140 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
2SD1624S-TD-H
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 140 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
2SD1624T-TD-H
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
NCP163AMX180TBG
制造商: ONSEMI分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 电压调整器
数据:
简介: PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 250mA 4-XDFN（1x1）
输出配置: 正
输出类型: 固定
稳压器数: 1
电压 - 输入（最大值）: 5.5V
电压 - 输出（最小值/固定）: 1.8V
电压 - 输出（最大值）: -
电压降（最大值）: 0.25V @ 250mA
电流 - 输出: 250mA
电流 - 静态 (Iq): 20 µA
PSRR: 91dB ~ 60dB（100Hz ~ 100kHz）
控制特性: 使能
保护功能: 过流，超温，软启动
工作温度: -40°C ~ 125°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 4-XDFN 祼焊盘
供应商器件封装: 4-XDFN（1x1）