ONSEMI
BZX85C27_T50R
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 27 V 1 W ±7% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 19 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
BZX85C27_T50A
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 27 V 1 W ±7% 通孔 DO-41
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±7%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 19 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
BD439
制造商: ONSEMI分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W 通孔 TO-126
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 4 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 800mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 40 @ 500mA，1V
功率 - 最大值: 36 W
频率 - 跃迁: 3MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装: TO-126
