技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta），20A（Tc），27A（Ta），60A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 13A，10V，1.8 毫欧 @ 27A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 19nC @ 10V，64nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1240pF @ 13V，4335pF @ 13V 功率 - 最大值: 800mW（Ta），900mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-PowerWDFN 供应商器件封装: Powerclip-33

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 99 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 2.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 48 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2500 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 184W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 250 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1261 pF @ 400 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 106W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252（DPAK） 封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V 电流 - 平均整流 (Io): 200mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 100 mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间 (trr): 4 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装: DO-35 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C