ONSEMI
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 215mA（DC）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 150 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 6 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2.5 µA @ 70 V
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 225mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 225mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 73 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3