ONSEMI
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.9 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 23 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.9 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 23 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
SBCP56-16T3G
制造商: ONSEMI分类:
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 80 V 1 A 130MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，2V
功率 - 最大值: 1.5 W
频率 - 跃迁: 130MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223（TO-261）