ONSEMI
FET 类型: N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Ta），136A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.5 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
FET 功能: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
FDMS86255ET150
制造商: ONSEMI分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 150 V 10A（Ta），63A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 12.4 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4480 pF @ 75 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）
封装/外壳: 8-PowerTDFN
NTMFS4C922NAT3G
制造商: ONSEMI分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta），64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta），136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3071 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），64W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 157A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 184µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3192 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 10-TCPAK
封装/外壳: 10-PowerLSOP（0.209，5.30mm 宽）
NTMFS6H818NT1G
制造商: ONSEMI分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 20A（Ta），123A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），123A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3100 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
NVMFS6H818NT1G
制造商: ONSEMI分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 20A（Ta），123A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A（Ta），123A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 190µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3100 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.8W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
NTMFS3D6N10MCLT1G
制造商: ONSEMI分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 100 V 19.5A（Ta），131A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19.5A（Ta），131A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 毫欧 @ 48A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4411 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线
NTMFS4C022NT3G
制造商: ONSEMI分类:
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta），64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta），136A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3071 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta），64W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳: 8-PowerTDFN，5 引线