VISHAY SILICONIX
SI7234DP-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 12V 60A 46W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.4 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 120nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5000pF @ 6V
功率 - 最大值: 46W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 双
IRF9540PBF-BE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
IRF9540PBF
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 200 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
SI1539CDL-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 30V 700mA，500mA 340mW 表面贴装型 SC-70-6
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA，500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 388 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 28pF @ 15V
功率 - 最大值: 340mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-70-6
SI4599DY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: MOSFET - 阵列 40V 6.8A，5.8A 3W，3.1W 表面贴装型 8-SOIC
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A，5.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35.5 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 640pF @ 20V
功率 - 最大值: 3W，3.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOIC
SIDR500EP-T1-RE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 94A（Ta），421A（Tc） 7.5W（Ta），150W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 94A（Ta），421A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.47 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8960 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 7.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
SQM120N04-1M7L_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 285 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14606 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SQM200N04-1M8_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 200A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 310 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17350 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
SQM120N04-1M7_JE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 40 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2PAK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 310 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 17350 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 375W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263（D2PAK）
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SI4401DDY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 40 V 16.1A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 10.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3007 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），6.3W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）