VISHAY SILICONIX
SQ4850CEY-T1_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 12A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1375 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
SQ4064EY-T1_GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 60 V 12A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 19.8 毫欧 @ 6.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2096 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
SIR178DP-T1-RE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 20 V 100A（Ta），430A（Tc） 6.3W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Ta），430A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 310 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +12V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12430 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.3W（Ta），104W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
SI4874BDY-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3230 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
SIRA20DP-T1-RE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 25 V 81.7A（Ta），100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 81.7A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.58 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 200 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10850 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
SI7852DP-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 41 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.9W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
SI4403DDY-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 15.4A（Tc） 5W（Tc） 8-SOIC
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 99 nC @ 8 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3250 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
DG413DY-T1-E3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 模拟开关电路
数据:
简介: 4 电路 IC 开关 1：1 35 欧姆 16-SOIC
开关电路: SPST - 常开/常闭
多路复用器/解复用器电路: 1：1
电路数: 4
导通电阻（最大值）: 35 欧姆
通道至通道匹配 (ΔRon): -
电压 - 电源，单 (V+): 5V ~ 44V
电压 - 供电，双 (V±): ±5V ~ 20V
开关时间 (Ton, Toff)（最大值）: 175ns，145ns
-3db 带宽: -
电荷注入: 5pC
沟道电容 (CS(off)，CD(off)): 9pF，9pF
电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）: 250pA
串扰: -85dB @ 1MHz
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC
DG413DY-E3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 模拟集成电路 / 非线性电路 / 模拟开关电路
数据:
简介: 4 电路 IC 开关 1：1 35 欧姆 16-SOIC
开关电路: SPST - 常开/常闭
多路复用器/解复用器电路: 1：1
电路数: 4
导通电阻（最大值）: 35 欧姆
通道至通道匹配 (ΔRon): -
电压 - 电源，单 (V+): 5V ~ 44V
电压 - 供电，双 (V±): ±5V ~ 20V
开关时间 (Ton, Toff)（最大值）: 175ns，145ns
-3db 带宽: -
电荷注入: 5pC
沟道电容 (CS(off)，CD(off)): 9pF，9pF
电流 - 漏泄 (IS(off))（最大值）: 250pA
串扰: -85dB @ 1MHz
工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 16-SOIC
SI2301HDS-T1-GE3
制造商: VISHAY SILICONIX分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:
简介: 表面贴装型 P 通道 20 V 2.3A（Ta），3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A（Ta），3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 405 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3