技术: MOSFET（金属氧化物） 配置: 2 N-通道（双） FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1170pF @ 50V 功率 - 最大值: 46W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: PowerPAK® SO-8 双 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8 双

FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25.3A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.2 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 167 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6630 pF @ 15 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 6W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TA） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOIC 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）