MICROCHIP TECHNOLOGY

MPLAD30KP14CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 14V 电压 - 击穿（最小值）: 15.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD30KP14CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 PLAD

MAPLAD30KP14A

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 14V 电压 - 击穿（最小值）: 15.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 军用资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MAPLAD30KP14AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 PLAD

MAPLAD30KP14CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 14V 电压 - 击穿（最小值）: 15.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 军用资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MAPLAD30KP14CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 14V 电压 - 击穿（最小值）: 15.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 军用资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

PIC32MX250F128B-ISS

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
数据:

简介: MIPS32® M4K™ PIC® 32MX 微控制器 IC 32-位 40MHz 128KB（128K x 8）闪存 28-SSOP

DigiKey 可编程: 未验证核心处理器: MIPS32® M4K™ 内核规格: 32-位速度: 40MHz 连接能力: I2C，IrDA，LINbus，PMP，SPI，UART/USART，USB OTG 外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数: 19 程序存储容量: 128KB（128K x 8）程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 32K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V 数据转换器: A/D 9x10b 振荡器类型: 内部工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 28-SSOP 封装/外壳: 28-SSOP（0.209，5.30mm 宽）

PIC32MX270F256B-ISS

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
数据:

简介: MIPS32® M4K™ PIC® 32MX 微控制器 IC 32-位 40MHz 256KB（256K x 8）闪存 28-SSOP

DigiKey 可编程: 未验证核心处理器: MIPS32® M4K™ 内核规格: 32-位速度: 40MHz 连接能力: I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART，USB OTG 外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT I/O 数: 19 程序存储容量: 256KB（256K x 8）程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 64K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V 数据转换器: A/D 9x10b 振荡器类型: 内部工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 28-SSOP 封装/外壳: 28-SSOP（0.209，5.30mm 宽）

ATSAMD51G19A-MUT

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
数据:

简介: ARM® Cortex®-M4F SAM D51 微控制器 IC 32-位 120MHz 512KB（512K x 8）闪存 48-QFN（7x7）

DigiKey 可编程: 未验证核心处理器: ARM® Cortex®-M4F 内核规格: 32-位速度: 120MHz 连接能力: EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SPI，UART/USART，USB 外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM I/O 数: 37 程序存储容量: 512KB（512K x 8）程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 192K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.63V 数据转换器: A/D 20x12b；D/A 2x12b 振荡器类型: 内部工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 48-QFN（7x7）封装/外壳: 48-VFQFN 祼焊盘

ATSAMD51J19A-AUT

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 微电路 / 半导体集成电路 / 数字集成电路 / 微处理器(MPU) / 微控制器(MCU)
数据:

简介: ARM® Cortex®-M4F SAM D51 微控制器 IC 32-位 120MHz 512KB（512K x 8）闪存 64-TQFP（10x10）

DigiKey 可编程: 未验证核心处理器: ARM® Cortex®-M4F 内核规格: 32-位速度: 120MHz 连接能力: EBI/EMI，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SPI，UART/USART，USB 外设: 掉电检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM I/O 数: 51 程序存储容量: 512KB（512K x 8）程序存储器类型: 闪存 EEPROM 容量: - RAM 大小: 192K x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.63V 数据转换器: A/D 24x12b; D/A 2x12b 振荡器类型: 内部工作温度: -40°C ~ 85°C（TA）安装类型: 表面贴装型供应商器件封装: 64-TQFP（10x10）封装/外壳: 64-TQFP