MICROCHIP TECHNOLOGY

JANTXV1N5618USTR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 二极管 600 V 1A 表面贴装型 D-5A

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 600 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: 军用资质: MIL-PRF-19500/427 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SQ-MELF，A 供应商器件封装: D-5A 工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C

JANS1N5618

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 二极管 600 V 1A 通孔 A，轴向

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 600 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: 军用资质: MIL-PRF-19500/427 安装类型: 通孔封装/外壳: A，轴向供应商器件封装: A，轴向工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C

JANS1N5618TR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 二极管 600 V 1A 通孔 A，轴向

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 600 V 不同 Vr、F 时电容: - 等级: 军用资质: MIL-PRF-19500/427 安装类型: 通孔封装/外壳: A，轴向供应商器件封装: A，轴向工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C

JANS1N5618US

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 二极管 600 V 1A 表面贴装型 A，SQ-MELF

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 3 A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr、F 时电容: - 等级: 军用资质: MIL-PRF-19500/427 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SQ-MELF，A 供应商器件封装: A，SQ-MELF 工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C

JANS1N5618USTR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类:
数据:

简介: 二极管 600 V 1A 表面贴装型 A，SQ-MELF